此外，湖南研究人员展示了在金属箔上分层石墨烯合成的批量生产方法，证明了其技术可扩展性。
插图：其缺电从单层WS2的单晶制备扭曲的异质结构的示意图，以及单晶WS2三角形的光学显微照片。与现有的基于剥落材料的制备方法相比，限电暴本文的制备工艺可以使相同的结构有效地组装在同一芯片上。
面积（f）从（a）中获得的吸光光谱图。隐患（g）从光学光谱数据中绘制的激子峰位置的拟合曲线。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，湖南投稿邮箱[email protected]。
（e）缝合的光学显微照片，其缺电来自13×13平方毫米的正方形（i），矩形（ii），三角形（iii）和片状（iv）的WS2像素。（b）晶圆级生长（i）、限电暴像素图案化（ii）和机器人四维像素自动组装（iii）制备vdW固体。
（d）从（b）所示设计中提取的4L（顶部）、面积8L（中部）和16L（底部）MoS2的截面STEM图像。
隐患相关成果以Roboticfour-dimensionalpixelassemblyofvanderWaalssolids发表在NatureNanotechnology上。1977年出生，湖南1997年本科毕业于中国科学技术大学，1999和2002年分别获得美国哈佛大学化学硕士和物理化学博士学位。
Nature和Science作为当今全球最具权威的学术期刊，其缺电在科学界的影响力不言而喻。限电暴在天然气（甲烷）直接转化制高值化学品和煤基合成气直接制低碳烯烃等研究领域取得重要研究进展。
中国科学院院士、面积发展中国家科学院(TWAS)院士和英国皇家化学会荣誉会士(HonFRSC)。2017年获德国化学工程和生物技术协会（DECHMA）和德国催化协会催化成就奖（Alwin Mittasch Prize 2017），隐患所带领的纳米和界面催化团队获首届全国创新争先奖牌。